Eksitoninės fotoliuminescencijos sustiprėjimas n+/i-GaAs dariniuose su silicio priemaiša

Anotacija

Ištirta n⁺/i-GaAs vienalyčių sandūrų fotoliuminescencija plačiame temperatūros ruože – nuo 3,6 iki 77 K, esant įvairiems žadinančios lazerio šviesos intensyvumams. Gauti rezultatai palyginti su i-GaAs sluoksnio fotoliuminescencijos tyrimų rezultatais. Aptiktas eksitoninės spinduliuotės iš savojo laidumo (i) sluoksnio sustiprėjimas ir linijos susiaurėjimas vienalytėje sandūroje lyginant su epitaksiniu sluoksniu. Nustatyta, kad eksitoninės linijos sustiprėjimas priklauso nuo viršutinio elektroninio laidumo (n⁺) sluoksnio storio, tuo pačiu ir nuo elektronų tankio šiame sluoksnyje. Eksperimentiniai rezultatai ir teorinis vidinio elektrinio lauko įvertinimas leido daryti prielaidą, jog eksitoninės linijos sustiprėjimas susijęs su didelio tankio eksitonų susidarymu savojo laidumo sluoksnyje dėl krūvininkų dreifo vidiniame elektriniame lauke ir jų akumuliacijos siauroje šio sluoksnio srityje. Eksitoninės linijos susiaurėjimas gali būti susijęs su krūvininkų sąveikos su kristalo nehomogeniškumais pakitimu ir kolektyvine eksitonų sąveika.