Rekombinacijos būdingųjų dydžių palyginamasis tyrimas protonais ir elektronais švitintuose Si dariniuose

Anotacija

Ištirti rekombinacijos būdingųjų dydžių kitimai Si padėkluose ir dioduose, keičiant 5–10 MeV elektronų ir 1,9–2 MeV protonų integrinį apšvitos srautą. Rekombinacijos parametrai tirti kombinuojant standartinę giliųjų lygmenų talpinę spektroskopiją, mikrobangų sugerties relaksacijos ir diodų perjungimo į užtvarinę būseną trukmės matavimų metodikas. Tarpusavyje palyginus giliųjų lygmenų spektrus protonais ir neutronais apšvitintuose dariniuose, identifikuoti taškiniai ir sankaupiniai radiaciniai defektai ir jų įtaka diodų perjungimo spartai. Kombinuojant ir palyginant tūryje integruotas bei priklausomai nuo gylio diodų bazėje žvalgytas krūvininkų gyvavimo trukmes, įvertinti paspartintos rekombinacijos sluoksnių sudarymo diodų bazės gilumoje parametrai.