Ėsdintų griovelių morfologija greitais sunkiaisiais jonais švitintame SiO2

Anotacija

Tirtas pórų radimasis termiškai oksiduotuose silicio bandiniuose, juos apšvitinus greitais sunkiaisiais jonais ir po to chemiškai ėsdinant liekamųjų trekų sritis SiO₂ matricoje. Pavyzdėliai švitinti 710 MeV Bi (1–5)⋅10⁸ ir 5⋅10¹⁰ cm^–2 srautais. Vėliau jie ėsdinti skiestu vandenilio fluorido tirpalu įvairų laiką. Apdoroti bandiniai tirti skenuojančiu elektroniniu mikroskopu. Pagal geometrinius pórų parametrus įvertinta trekų ėsdinimo sparta V_t bei ištisinio a-SiO₂ ėsdinimo sparta V_b. Nustatyta, kad ėsdinimas ir griovelių morfologija labai priklauso nuo švitinimo srauto. Analizuota trekų, kai jie tankūs, savitarpio įtakos priklausomybė nuo apšvitos indukuotų medžiagos pokyčių aplink jonų takus. Parodyta, kad ėsdintų trekų morfologija nepasikeičia po 30 min trunkančio atkaitinimo 900 ^∘C temperatūroje.