Greitaveikių SiC ir GaN galios prietaisų voltamperinių charakteristikų matavimas nanosekundiniais impulsais

Anotacija

Plačiajuosčių puslaidininkių, tokių kaip GaN ir SiC, pramušimo laukų vertės yra didelės. Jei matuojant šių plačiajuosčių puslaidininkinių prietaisų voltamperines charakteristikas naudojami galingi impulsai, prietaisai gali būti suardyti dėl Džaulio šilumos išsiskyrimo. Mūsų eksperimentuose 4H-SiC bandinys ir GaN Gano diodas buvo patalpinti nuosekliai perdavimo linijoje, o etaloninis rezistorius naudotas krintančio impulso amplitudei nustatyti. Šis pagerintas būdas leidžia atlikti matavimus nanosekundžių trukmės impulsais ir tuo būdu išvengti Džaulio kaitimo. Šie prietaisai, veikiantys stipriuose elektriniuose laukuose (virš 50 kV/cm), gali būti suardyti dėl trumpų elektrinių impulsų sukelto lokalaus perkaitimo, kuris prasideda submikroninių matmenų nehomogeniškumuose impulso fronto veikos metu.