Protonais švitintų Si darinių voltfaradinės charakteristikos ir jų dažninės bei temperatūrinės priklausomybės

Anotacija

Pateiktos eksperimentinės didelės energijos protonais švitintų silicio p-i-n diodų voltfaradinės charakteristikos, jų dažninės bei temperatūrinės priklausomybės ir iš to sekantys kai kurie apibendrinimai. Didesnis diodų apšvitos protonais srautas, esant vienodoms kitoms sąlygoms, indukuoja didesnes diodų, įjungtų atgaline kryptimi, talpas žemųjų (20–120 Hz) dažnių srityje, kurios žymiai viršija nešvitintų diodų barjerinių talpų vertes. Iš voltfaradinių charakteristikų priklausomybės nuo dažnio ir temperatūros analizės apskaičiuota dominuojančio defekto gilaus lygmens energija.