AlGaN/AlN/GaN dvimačių elektronų dujų laidumo relaksacijos priklausomybė nuo elektrinio lauko stiprio bei temperatūros

Anotacija

AlGaN/AlN/GaN bandiniai su dvimatėmis elektronų dujomis ir labai plonu AlN tarpiniu sluoksniu buvo veikiami nanosekundinės trukmės iki 80 kV/cm stiprio elektriniais laukais, nukreiptais lygiagrečiai darinio plokštumai. Dvimačių elektronų dujų laidumo relaksacija buvo išmatuota, išjungus stipraus elektrinio lauko impulsą, temperatūrų intervale nuo 86 iki 293 K. Nanosekundinėje skalėje gauti laidumo relaksacijos duomenys buvo aproksimuoti išraiška, turinčia du eksponentinius narius su atitinkamomis laiko konstantomis. Šių išraiškų analizė rodo, kad trumpesnioji laiko konstanta nežymiai priklauso nuo aplinkos temperatūros ir elektrinio lauko stiprio, ir ji siejama su elektronų išlaisvinimu iš seklių pagavimo lygmenų AlN tarpiniame sluoksnyje arba AlGaN/AlN sandūroje. Ilgesnioji laiko konstanta yra siejama su elektronų šiluminiu išlaisvinimu iš pagavimo lygmenų GaN sluoksnyje. Taip pat elektronai gali būti termiškai išlaisvinami iš pagavimo centrų GaN, susidariusių dėl laidumo juostos dugno fliuktuacijų. Įvertinta šiluminio proceso aktyvacijos energija.