Porėtojo n-Si:(Ni,Co) darinių elipsometrija

  • M. Treideris
  • I. Šimkienė
  • A. Rėza
  • J. Babonas

Anotacija

Nul-elipsometrijos metodu ištirti sudėtingosios sandaros porėtieji n-Si dariniai, paruošti anodiniu ėsdinimu, su Ni ir Co dalelėmis, įterptomis elektrocheminio proceso būdu. Elipsometriniai duomenys išanalizuoti, pasinaudojant daugiasluoksniu modeliu ir nustatytas porėtojo sluoksnio, suformuoto padėklo paviršiuje, sąstatas. Gauti duomenys parodė, kad nul-elipsometrija yra efektyvus neardantis būdas charakterizuoti porėtojo n-Si darinius su įterptomis pereinamųjų metalų dalelėmis.

Publikuotas
2010-01-01
Skyrius
Semiconductors