Puslaidininkinės medžiagos ultrasparčiajai optoelektronikai

Anotacija

Pateikta įvairių puslaidininkinių medžiagų, naudojamų kuriant ultrasparčius optoelektronikos prietaisus, žadinamus femtosekundiniais lazeriais, eksperimentinių tyrimų apžvalga. Tyrimai atlikti Puslaidininkių fizikos instituto Optoelektronikos laboratorijoje 1997–2008 metais. Aprašyta žemoje temperatūroje augintų GaAs ir GaBiAs sluoksnių technologija ir fizikinės savybės. Išsamiai aptartas ir išanalizuotas THz spinduliuotės generavimas iš femtosekundiniu lazeriu sužadintų puslaidininkių paviršiaus.