Rekombinacijos charakteristikų kitimai iškaitinant 2 MeV protonais švitintus Si darinius

Anotacija

Ištirti rekombinacijos būdingųjų dydžių kitimai Si padėkluose ir dioduose, apšvitintuose 2 MeV protonais ir izochroniškai 24 val. iškaitintuose, keičiant temperatūrą 80–320 ^∘C ruože. Rekombinacijos parametrai tirti kombinuojant giliųjų lygmenų talpinę spektroskopiją, mikrobangų sugerties relaksacijos ir diodų perjungimo trukmės matavimų metodikas. Aptiktas rekombinacijos trukmės didėjimas po iškaitinimų, kai pokyčių vertės priklauso nuo apšvitos integrinio srauto, o šiluminės emisijos, nulemiančios krūvininkų tankio relaksacijos generacinę trukmę bei nuotėkio sroves, spektre aptikti žymūs pokyčiai, sietini su taškinių defektų, priskirtinų vakansijoms ir jų kompleksams, transformacijomis.